обратно смещённый переход

См. также в других словарях:

• p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …   Физическая энциклопедия

• КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того …   Физическая энциклопедия

• Биполярные транзисторы — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… …   Википедия

• Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) …   Википедия

• Тиристор — Обозначение на схемах Тиристор  полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p n переходами и имеющий два устой …   Википедия

• Революция 1917 года в России — См. также: Революция 1905 1907 годов в России Смена власти в России в 1917 1918 годах …   Википедия

• Политическая ситуация в России в 1917—1918 годах — Смена власти в России в 1917 1918 годах …   Википедия

• Биполярный транзистор — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор  трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно… …   Википедия

• Динистор — Обозначение на схемах Тиристор  полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р n p n типа, обладающий в прямом направлении двумя устойчивыми состояниями  состоянием низкой проводимости… …   Википедия

• ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… …   Физическая энциклопедия

• РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — (рекомбина ционная люминесценция) люминесценция полупроводника (и диэлектриков), обусловленная рекомбинацией неравновесных электронов и дырок. В отличие от др. видов люминесценции, под Р. и. понимают процесс, к рому предшествует образование… …   Физическая энциклопедия